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プロセスフロー

I. TFT-LCD の製造プロセスには、次の部分があります。

①、TFT基板上にTFTアレイを形成。

②、カラーフィルター基板上にカラーフィルターパターンとITO導電層を形成する。

③、XNUMX枚の基板で液晶カセットを作成。

④。 周辺回路の実装、バックライトの組立などのモジュール組立。

第二に、TFT基板上にTFTアレイを形成するプロセス

工業化されているTFTには、アモルファスシリコンTFT(a-Si TFT)、多結晶シリコンTFT(p-Si TFT)、単結晶シリコンTFT(c-Si TFT)などがあります。 現在、a-Si TFT はまだ使用されています。

a-Si TFTの製造工程は以下の通りです。

①。 まず、ホウケイ酸ガラス基板上にゲート材料膜をスパッタし、マスク露光、現像、ドライエッチングを経てゲート配線パターンを形成します。 ステップ露光機による一般的なマスク露光。

②。 PECVD法によるSiNx膜、ノンドープa-Si膜、リンドープn+a-Si膜の連続成膜。 その後、マスク露光とドライエッチングを行い、TFT部のa-Siパターンを形成します。

(iii)透明電極(ITO膜)をスパッタ成膜法により形成し、マスク露光、ウェットエッチングにより表示電極パターンを形成する。

(4)ゲート端子部の絶縁膜のコンタクトホールパターンをマスク露光とドライエッチングにより形成する。

⑤。 TFTのソース、ドレイン、信号線のパターンは、ALなどのスパッタリング、マスク露光、エッチングにより形成されます。 PECVD法により保護絶縁膜を形成し、マスク露光とドライエッチングにより絶縁膜をエッチングします(保護膜はゲート、信号線電極、表示電極を保護するためのものです)。

TFT アレイ プロセスは、TFT-LCD 製造プロセスの鍵であり、多くの設備投資が必要な部分でもあり、プロセス全体で高度な精製条件 (クラス 10 など) が必要です。

カラーフィルター(CF)基板上にカラーフィルターパターンを形成する工程

カラーフィルターの着色部分の形成方法は、染料法、顔料分散法、印刷法、電着法、インクジェット法などがあります。 現在は顔料分散法が主流です。

顔料分散法とは、透明なフォトポリマーに微細な顔料(平均粒径0.1μm以下)(R、G、B各色)を均一に分散させる方法です。 次に、それらを順次コーティング、露光、現像して RGB パターンを形成します。 製造工程にはフォトエッチング技術が用いられ、使用される設備は主に塗布、露光、現像装置です。

光漏れを防ぐために、通常、RGB XNUMX 色の接合部にはブラック マトリックス (BM) が追加されます。 従来はスパッタリングによる金属クロム単層膜でしたが、現在では金属クロムと酸化クロムを組み合わせたBM膜や、樹脂にカーボンを混ぜた樹脂BMへの切り替えも行われています。

また、カラーフィルタ付き基板は液晶の前面基板、TFT付き背面基板は液晶ボックスを形成するため、BM上に保護膜を形成し、IT0電極を形成する必要があります。 したがって、カラーフィルタの各セルがTFT基板の各画素に対応するように配置の問題に注意を払う必要がある。

IV. 液晶ボックスの作製工程

ポリイミド膜を基板の上面と下面にそれぞれ塗布し、必要に応じて分子を整列させるために摩擦プロセスによって配向膜を形成します。 その後、シーラント材料がTFTアレイ基板の周りに配置され、ライナーが基板上に吹き付けられる。 同時に、CF基板の透明電極端に銀ペーストを塗布する。 次に、CFパターンとTFT画素パターンが一致するように2枚の基板を位置合わせして貼り合わせた後、熱処理によりシール材を硬化させる。 シール材を印刷する際、液晶を真空注入するために注入口を残す必要があります。

近年、技術の進歩と基板の大型化に伴い、結晶注入の方法の変化を代表するボックスの製造プロセスが、注入後の元のボックスから大幅に改善されています。 ODF メソッド、つまり、クリスタル注入とボックス同期に。 加えて 。 マッティング方法は、従来のスプレー方法ではなく、フォトリソグラフィー生産でアレイに直接適用されます。

Ⅴ. 周辺回路とバックライト組立のモジュール組立工程

LCD ボックスの製造工程が完了したら、周辺駆動回路をパネルに取り付け、XNUMX 枚の基板の表面に偏光板を貼り付ける必要があります。 透過型液晶の場合。 バックライトも搭載。

材料とプロセスは、製品の性能に影響を与える XNUMX つの主な要因です。TFT-LCD は、上記の XNUMX つの主要なプロセスの後、多数の複雑な製造プロセスを経て、製品を形成しています。

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